一种聚酰亚胺基耐高温电磁屏蔽薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111439607.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113968987A | 公开（公告）日 | 2022-01-25 |
| 申请公布号 | CN113968987A | 申请公布日 | 2022-01-25 |
| 分类号 | C08J5/18（2006.01）I;C08L79/08（2006.01）I;C08K9/04（2006.01）I;C08K3/22（2006.01）I;H05K9/00（2006.01）I | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 马纪翔;姬亚宁;青双桂;刘姣;蒋耿杰 | 申请（专利权）人 | 桂林电器科学研究院有限公司 |
| 代理机构 | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 唐智芳 |
| 地址 | 541004广西壮族自治区桂林市七星区东城路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种聚酰亚胺基耐高温电磁屏蔽薄膜及其制备方法，属于聚酰亚胺材料技术领域。所述的制备方法包括：向聚酰胺酸树脂溶液中加入金属氧化物分散液，混合均匀，所得混合树脂溶液采用热亚胺化法制备而得；其中：金属氧化物分散液是以钛酸丁酯为改性剂，在极性非质子溶剂中在水和冰乙酸存在的条件下对金属氧化物进行改性而得；所述金属氧化物为选自ATO、ITO、FTO、IZO和IGZO中的一种或两种以上的组合。本发明所述方法制备得到的薄膜在具有良好电磁屏蔽效能的同时还具有良好的透光率和更高的耐热性，满足光通信的使用要求。 |
