一种多通道均匀上排气热场机构
基本信息
| 申请号 | CN201120315046.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN202214445U | 公开（公告）日 | 2012-05-09 |
| 申请公布号 | CN202214445U | 申请公布日 | 2012-05-09 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 曹中谦;杨运忠;张卫中;金莹;李雷;王汉召 | 申请（专利权）人 | 河北宇晶电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 石家庄汇科专利商标事务所 | 代理人 | 刘闻铎 |
| 地址 | 065201 河北省廊坊市三河市燕郊经济技术开发区迎宾路晶龙集团工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种多通道均匀上排气热场机构，包括排气箱和与排气箱的底端连通的主排气管；排气箱由圆环形上盖、圆环形下盖、内隔离筒和外隔离筒围成；内隔离筒的筒壁上设有多个上排气孔。内隔离筒与外隔离筒之间设有中隔离筒；在中隔离筒的筒壁上且与内隔离筒筒壁上的上排气孔相对应的位置也设有上排气孔，上排气管的两端分别套装在两个相对应的上排气孔内；在圆环形下盖上且位于中隔离桶和外隔离桶之间的底面上设有主排气孔，主排气管的上端套装在主排气孔内。本实用新型具有独特的均匀排气管路和流量控制，使上排气过程均匀，有效的控制了熔硅液面上方产生的气体乱流，使整个拉晶气氛平稳。 |
