一种大颗粒窄分布掺铝四氧化三钴的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910329925.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110217832A | 公开（公告）日 | 2019-09-10 |
| 申请公布号 | CN110217832A | 申请公布日 | 2019-09-10 |
| 分类号 | C01G51/04（2006.01）I; H01M4/525（2010.01）I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 智福鹏; 江名喜; 马骞; 王娟辉; 陈晓闯; 吴来红; 刘世红; 郝亚莉; 吴晖君; 祁世青; 鲁相杰; 张振华; 颉颐; 何艳; 吴芳; 冯燕; 吴婧 | 申请（专利权）人 | 兰州金川新材料科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 甘肃省知识产权事务中心 | 代理人 | 金川集团股份有限公司; 兰州金川新材料科技股份有限公司 |
| 地址 | 737103 甘肃省金昌市金川路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及锂离子电池技术领域，尤其涉及一种大颗粒窄分布掺铝四氧化三钴的制备方法。其包括大颗粒窄分布掺铝碳酸钴连续合成阶段和大颗粒窄分布掺铝碳酸钴煅烧阶段；本发明在碳酸钴湿法合成阶段通过连续离心提高固含量、连续合成方法和特殊铝盐方法制得的大颗粒碳酸钴前驱体较致密，粒度分布窄，球形度好，铝元素分布均匀；通过三段式煅烧方法，第一段温度为180‑250℃，碳酸钴局部分解，形成微孔通道；第二段温度为300‑500℃，碳酸钴彻底分解；第三段温度为650‑800℃，颗粒表面致密化，亚钴相更低，晶型更完整，形成大颗粒窄分布掺铝四氧化三钴。 |
