沟槽型二极管器件及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201810971379.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109037059A | 公开（公告）日 | 2018-12-18 |
| 申请公布号 | CN109037059A | 申请公布日 | 2018-12-18 |
| 分类号 | H01L21/329;H01L29/872 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赖海波;徐承福;朱开兴 | 申请（专利权）人 | 福建龙夏电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 福建龙夏电子科技有限公司 |
| 地址 | 364012 福建省龙岩市新罗区东肖镇曲潭路15号龙岩市科技创业园一号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种沟槽型二极管器件及其形成方法，所述沟槽型二极管器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底内的阵列分布的元胞沟槽；覆盖所述元胞沟槽内壁的介质层，所述介质层的厚度自元胞沟槽顶部向下逐渐增大；位于所述介质层表面且填充满所述元胞沟槽的电极层，所述电极层的宽度自元胞沟槽顶部向下逐渐减小。所述沟槽型二极管器件的导通电阻降低，提高击穿电压。 |
