半导体器件及其形成方法、芯片
基本信息
| 申请号 | CN201910179350.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109935635A | 公开（公告）日 | 2019-06-25 |
| 申请公布号 | CN109935635A | 申请公布日 | 2019-06-25 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I; H01L29/423（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赖海波; 朱开兴; 丘荣贵; 赖思佳 | 申请（专利权）人 | 福建龙夏电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 福建龙夏电子科技有限公司 |
| 地址 | 364012 福建省龙岩市新罗区东肖镇曲潭路15号龙岩市科技创业园一号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其形成方法、芯片，该器件包括：位于衬底内的终端沟槽栅结构和若干元胞沟槽栅结构；所述终端沟槽栅结构具有沿设定方向间隔排列的若干环形侧表面；若干所述元胞沟槽栅结构分别位于若干所述环形侧表面的内侧，且每一所述终端沟槽栅结构的环形侧表面与对应内侧的元胞沟槽栅结构的侧表面以恒定间距同心设置。本发明的技术方案解决了现有分裂栅沟槽型MOSFET的沟槽栅结构间距不能保持一致导致电参数一致性差的问题。 |
