屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法(锤形)
基本信息
| 申请号 | CN201810351438.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108400094B | 公开（公告）日 | 2018-08-14 |
| 申请公布号 | CN108400094B | 申请公布日 | 2018-08-14 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张帅;黄昕 | 申请（专利权）人 | 广州安海半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海大视知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 济南安海半导体有限公司;广州安海半导体股份有限公司 |
| 地址 | 250102山东省济南市中国（山东）自由贸易试验区济南片区经十东路7000号汉峪金谷A1-3栋12楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。由于该屏蔽栅场效应晶体管的制造方法中，首先通过二次刻蚀形成台阶式沟槽，在完成沟槽底部的第一次屏蔽栅掺杂多晶硅淀积后，进一步刻蚀减薄了屏蔽栅侧壁氧化层，再进行第二次屏蔽栅掺杂多晶硅淀积，因此利用该方法形成的屏蔽栅场效应晶体管的屏蔽栅底部的氧化层厚度较其它位置更厚，可以达到减弱屏蔽栅底部电场的目的，从而避免屏蔽栅底部击穿，同时利用台阶式沟槽改变了栅结构的形貌，优化了电流导通路径，提升器件耐用性，且本发明的屏蔽栅场效应晶体管的结构简单，其制造方法工艺简便，成本也相当低廉。 |
