一种调节场效应晶体管沟道长度的新方法及其制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN201810288960.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108511515A | 公开（公告）日 | 2018-09-07 |
| 申请公布号 | CN108511515A | 申请公布日 | 2018-09-07 |
| 分类号 | H01L29/10;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/336;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张帅;黄昕 | 申请（专利权）人 | 广州安海半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 510620 广东省广州市天河区天河路一街385号第7层702号自编55单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种调节场效应晶体管沟道长度的新方法及其制造工艺，该方法利用沟槽设计出不同的离子注入的角度，形成的沟道区域的角度不同，得到不同深度的沟道，从而调节沟道长度；为了在调节沟道长度的同时不影响基区电阻，场效应晶体管利用沟槽作为阻挡，通过调节注入角度形成不同的沟道长度，同时通过调节contact的P型杂质来降低基区电阻且不影响沟道区。本发明制造工艺中注入的剂量可以根据阈值电压的需求并结合导通电阻进行协调，为了降低基区电阻，在contact刻蚀完成后紧接着注入P型杂质，利用横向扩散与沟道区连接，为了降低基区电阻，此P型杂质的浓度会更浓，但是由于离沟道较远，所以对阈值电压的影响很小。 |
