具有超级结结构的沟槽栅场效应晶体管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201811136100.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109346523A | 公开（公告）日 | 2019-02-15 |
| 申请公布号 | CN109346523A | 申请公布日 | 2019-02-15 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张帅;黄昕 | 申请（专利权）人 | 广州安海半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海大视知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 张帅;黄昕;济南安海半导体有限公司 |
| 地址 | 200233 上海市徐汇区桂平路88弄7号302室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种具有超级结结构的沟槽栅场效应晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。本发明的具有超级结结构的沟槽栅场效应晶体管，其具有二氧化硅深槽，且该深槽周围具有P型层与N型外延，从而与现有的超结结构MOSFET相比，其导通电阻更小，同时由于栅极与漏极的接触面积更小，而且有二氧化硅深槽隔离，所以栅漏电容更小，开关速度更快，进而进一步提升了器件整体性能，且本发明的具有超级结结构的沟槽栅场效应晶体管其结构简单，生成制造方法简便，生产及应用成本也相对低廉。 |
