屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201810351436.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108493251A | 公开（公告）日 | 2018-09-04 |
| 申请公布号 | CN108493251A | 申请公布日 | 2018-09-04 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄昕;张帅 | 申请（专利权）人 | 广州安海半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海大视知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 张帅;黄昕;济南安海半导体有限公司 |
| 地址 | 200233 上海市徐汇区桂平路88弄7号302室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。由于该屏蔽栅场效应晶体管的制造方法中首先在沟槽底部形成底部氧化层，再于沟槽表面形成屏蔽栅氧化层，因此利用该方法形成的屏蔽栅场效应晶体管的屏蔽栅底部的氧化层厚度较其它位置更厚，可以达到减弱屏蔽栅底部电场的目的，从而避免屏蔽栅底部击穿，提升器件耐用性，且本发明的屏蔽栅场效应晶体管的结构简单，其制造方法工艺简便，成本也相当低廉。 |
