一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构
基本信息
| 申请号 | CN201721400309.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN207435586U | 公开（公告）日 | 2018-06-01 |
| 申请公布号 | CN207435586U | 申请公布日 | 2018-06-01 |
| 分类号 | C30B29/36;C30B35/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 左洪波;杨鑫宏;李铁;袁帅 | 申请（专利权）人 | 龙江银行股份有限公司哈尔滨开发区支行 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街357号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构，该结构整体由坩埚、坩埚盖、籽晶杆、上部保温层结构、下部保温层结构、侧面保温层结构以及感应线圈组成。坩埚分为筒状无底结构和坩埚托两个部分，筒状无底结构放置于坩埚托上部，筒状无底结构为高纯石墨材料，坩埚托为耐高温绝缘材料；籽晶杆下端为籽晶托盘结构，可随升华过程中固体原料高度的降低而移动；侧面保温层结构外部的感应线圈结构可由上向下移动，以便保证晶体的生长界面与原料之间的合理间距。本实用新型热场结构降低了晶体开裂的几率，同时有效降低晶体内部的微管、应力等缺陷，实现大尺寸、半绝缘的碳化硅单晶的生长。 |
