一种二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910563956.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110117807B | 公开（公告）日 | 2021-04-27 |
| 申请公布号 | CN110117807B | 申请公布日 | 2021-04-27 |
| 分类号 | C25D5/54;C25D3/12 | 分类 | 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕; |
| 发明人 | 喻学锋;刘丹妮;王佳宏 | 申请（专利权）人 | 深圳市中科墨磷科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518111 广东省深圳市龙岗区平湖街道富康路6号宝能智创谷B栋6层602-4 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种简易、快捷地制备二维材料‑过渡金属异质结纳米片的方法，在电场下将块状含层状结构的二维晶体转变成少层的薄片，同时在薄片上修饰过渡金属异质结。该方法将块状二维晶体作为工作电极，另外的惰性材料作为其他极，所有电极与导线相连，并都浸泡在电解液中，持续通电，在含插层剂的溶剂中使块状二维材料分层。一段时间后，再在相同装置中加入过渡金属阳离子，继续持续通电，得到二维材料‑过渡金属异质结纳米片，将得到的产物收集，清洗，超声，得到二维材料‑过渡金属异质结。本发明利用电化学，得到过渡金属修饰的薄层二维片，该方法条件简单、成本低、重复性好、且对环境友好。 |
