一种黑磷单晶片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010189798.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113493929A | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN113493929A | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | C30B29/02（2006.01）I;C30B25/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 喻学锋;喻彬璐;王佳宏 | 申请（专利权）人 | 深圳市中科墨磷科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518111广东省深圳市龙岗区平湖街道富康路6号宝能智创谷B栋6层602-4 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种黑磷单晶片的制备方法，该方法涉及大尺寸二维单晶材料生长方面。制备方法是将磷源、催化剂按照一定质量比例加入密封反应器中，再进行烧结，最终得到大尺寸黑磷单晶片。本方法获得的黑磷单晶片水平尺寸可达厘米级，片状结构完整性高，且成功实现单晶片之间分散成核生长，不互相粘连，能够获得高质量无损单晶黑磷单晶片，有利于下游应用。 |
