一种过渡金属掺杂二维薄片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910563958.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110216279B | 公开（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申请公布号 | CN110216279B | 申请公布日 | 2021-07-09 |
| 分类号 | B22F1/00;C25D5/54;C01B25/00;C01B32/19;C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00 | 分类 | 铸造；粉末冶金; |
| 发明人 | 喻学锋;刘丹妮;王佳宏 | 申请（专利权）人 | 深圳市中科墨磷科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518111 广东省深圳市龙岗区平湖街道富康路6号宝能智创谷B栋6层602-4 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种简易、快捷地制备掺杂过渡金属的二维薄片的方法，在电场下将块状含层状结构的二维晶体转变成少层的薄片，同时在薄片上掺杂过渡金属异质结。该方法中，将块状二维晶体作为工作电极，另外的惰性材料作为对电极，并都浸泡在电解液中，电解液为含过渡金属阳离子及插层剂的有机溶剂。持续通电一段时间后，将得到的产物收集，清洗，超声，得到掺杂过渡金属的二维薄片。本发明利用电化学法快速制备掺杂过渡金属的二维薄片，该方法条件简单、成本低、产率高、重复性好、且对环境友好。 |
