一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉
基本信息
| 申请号 | CN202023208098.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215103676U | 公开（公告）日 | 2021-12-10 |
| 申请公布号 | CN215103676U | 申请公布日 | 2021-12-10 |
| 分类号 | C30B11/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 曹顿华;陈伟;董永军;华伟;潘国庆 | 申请（专利权）人 | 南京光宝光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 江苏圣典律师事务所 | 代理人 | 贺翔 |
| 地址 | 210008江苏省南京市经济技术开发区恒达路3号高通基地第A01、A03室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型属于晶体生长应用技术领域，具体公开了一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，包括炉体、上保温屏、下保温屏、外保温屏、内保温屏、水冷坩埚杆、坩埚护套、坩埚、发热体、温度辅助调节部和若干个温度调节部。本实用新型的一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉的有益效果在于：其设计合理、工作状态稳定和安全，通过温度辅助调节部、若干个温度调节部，可针对不同的晶体生长需求做不同形状的设计，调节方式更加灵活，实现单个晶体炉生长不同晶体对温度梯度的不同需求，进而提高晶体产品品质，实用性强。 |
