发光二极管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111384504.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114156381A | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN114156381A | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭滨刚;李州;徐华毕;陈嘉婷 | 申请（专利权）人 | 深圳市光科全息技术有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中细软知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王志强 |
| 地址 | 518055广东省深圳市南山区西丽街道松坪山社区高新北六道27号兰光科技大楼C505 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在衬底上分别沉积p型材料和n型材料，形成p型材料沉积层和n型材料沉积层，p型材料沉积层和n型材料沉积层部分重叠，第一次扩散后，接着沉积导电材料，形成导电材料层，第二次扩散后，设置第一电极和第二电极。这种发光二极管的制备方法可以用于纳米尺寸的发光二极管的加工制造，并且与传统方法相比，减少了工艺流程步骤，只需要简单的沉积工艺配合扩散技术，从而无需外延生长设备。与传统方法相比，这种发光二极管的制备方法用于纳米尺寸的发光二极管的加工制造时，降低了生产成本。 |
