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发光二极管的制备方法

基本信息

申请号	CN202111398381.X	申请日	-
公开（公告）号	CN114156373A	公开（公告）日	2022-03-08
申请公布号	CN114156373A	申请公布日	2022-03-08
分类号	H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	郭滨刚;李州;徐华毕;陈嘉婷	申请（专利权）人	深圳市光科全息技术有限公司
代理机构	深圳中细软知识产权代理有限公司	代理人	王志强
地址	518055广东省深圳市南山区西丽街道松坪山社区高新北六道27号兰光科技大楼C505
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种发光二极管的制备方法，包括如下步骤：提供GaN衬底；通过掩膜法结合微区域元素扩散掺杂技术，在GaN衬底内掺杂元素以形成沿着依次连接的p‑GaN层、量子肼层和n‑GaN层；在GaN衬底上形成间隔设置的第一导电层和第二导电层，第一导电层与p‑GaN层电连接，第二导电层与n‑GaN层电连接；在第一导电层上设置第一电极，在第二导电层上设置第二电极。这种发光二极管的制备方法在GaN衬底内掺杂元素以形成沿着GaN衬底的平面方向依次连接的p‑GaN层、量子肼层和n‑GaN层。这种发光二极管的制备方法通过掺杂的方式形成P‑N结，从而无需外延生长设备。与传统方法相比，这种发光二极管的制备方法降低了生产成本。