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一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

基本信息

申请号 CN202011164047.3 申请日 -
公开（公告）号 CN112151604A 公开（公告）日 2020-12-29
申请公布号 CN112151604A 申请公布日 2020-12-29
分类号 H01L29/739(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 周倩 申请（专利权）人 上海菱芯半导体技术有限公司
代理机构 扬州市苏为知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 上海菱芯半导体技术有限公司
地址 201210上海市中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560号902C-3室
法律状态 -

摘要

摘要 一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。本发明涉及一种栅控电压驱动型功率半导体器件，尤其涉及一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其加工方法。提供了一种制备工艺简便、不影响器件导通压降的前提下从而有效的减小米勒电容的一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。本发明通过增加一张光罩结合氮元素注入工艺，实现在栅极下方部分区域（宽度5um~10um）形成厚度较厚（大于2000A）的栅氧层，从而有效的减小米勒电容。本发明具有制备工艺简便、不影响器件导通压降的前提下从而有效的减小米勒电容等特点。