一种提高磁性多层膜结构中偏置场稳定性的方法
基本信息
| 申请号 | CN200810098871.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101345286A | 公开（公告）日 | 2009-01-14 |
| 申请公布号 | CN101345286A | 申请公布日 | 2009-01-14 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01);H01F10/08(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王寅岗;李子全;陈建康;周广宏 | 申请（专利权）人 | 江苏海天金宁三环电子集团有限公司 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 南京航空航天大学 |
| 地址 | 210016江苏省南京市御道街29号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种提高磁性多层膜结构中偏置场稳定性的方法，属磁电子学和磁记录技术领域。它包括以下步骤：(1)沉积磁性层；(2)利用聚焦镓离子工作站作为离子辐照设备，进行离子辐照改性；其特征在于：离子辐照的剂量为5×1011～5×1014ions/cm2。本方法可应用于由磁性多层膜构成的巨磁阻电阻传感器、磁性随机存取存储器、磁记录器件等磁敏感器件中的磁敏感单元，具有方法简单、效果好等优点。 |
