一种提高CoFe/Cu/CoFe/IrMn自旋阀结构多层膜结构中偏置场稳定性的方法
基本信息
| 申请号 | CN200810098871.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN100585898C | 公开（公告）日 | 2010-01-27 |
| 申请公布号 | CN100585898C | 申请公布日 | 2010-01-27 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I;H01F10/08(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王寅岗;李子全;陈建康;周广宏 | 申请（专利权）人 | 江苏海天金宁三环电子集团有限公司 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 南京航空航天大学 |
| 地址 | 210016江苏省南京市御道街29号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种提高CoFe/Cu/CoFe/IrMn自旋阀结构多层膜结构中偏置场稳定性的方法，属磁电子学和磁记录技术领域。一种提高磁性多层膜结构中偏置场稳定性的方法，属磁电子学和磁记录技术领域。它包括以下步骤：(1)沉积制作CoFe/Cu/CoFe/IrMn自旋阀结构多层膜；(2)利用聚焦镓离子工作站作为离子辐照设备，进行离子辐照改性，离子辐照的剂量为1×1013ions/cm2，离子束能量为30keV，离子束流为1nA。本方法可应用于由磁性多层膜构成的巨磁阻电阻传感器、磁性随机存取存储器、磁记录器件等磁敏感器件中的磁敏感单元，具有方法简单、效果好等优点。 |
