半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN201821576533.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209282209U | 公开（公告）日 | 2019-08-20 |
| 申请公布号 | CN209282209U | 申请公布日 | 2019-08-20 |
| 分类号 | H01L29/872（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/328（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 林信南; 刘美华; 刘岩军 | 申请（专利权）人 | 苏州辰华半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 地址 | 518052 广东省深圳市前海深港合作区前海一路1号A栋201室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种半导体器件。其中，所述半导体器件包括半导体基板；钝化层，设置在半导体基板上；阳极，包括主体部和连接所述主体部的第一延伸部及第二延伸部，其中所述主体部设置在所述钝化层远离所述半导体基板的一侧，所述第一延伸部贯穿所述钝化层且部分伸入所述半导体基板、以及所述第一延伸部远离所述主体部的端部和所述半导体基板之间设置有介质层，所述第二延伸部贯穿所述钝化层且部分伸入所述半导体基板、以及所述第二延伸部远离所述主体部的端部与所述半导体基板形成肖特基接触；阴极，贯穿所述钝化层、且所述阴极的端面与所述半导体基板形成肖特基接触。 |
