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肖特基势垒二极管

基本信息

申请号	CN201821571583.3	申请日	-
公开（公告）号	CN209282208U	公开（公告）日	2019-08-20
申请公布号	CN209282208U	申请公布日	2019-08-20
分类号	H01L29/872（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	林信南; 刘美华; 刘岩军	申请（专利权）人	苏州辰华半导体技术有限公司
代理机构	深圳精智联合知识产权代理有限公司	代理人	深圳市晶相技术有限公司
地址	518052 广东省深圳市前海深港合作区前海一路1号A栋201室
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及半导体器件技术领域，提供一种肖特基势垒二极管，所述肖特基势垒二极管包括：半导体基板；钝化层；介质层，设置在所述钝化层上、且覆盖所述第一阳极部接触孔的底部和所述第二阳极部接触孔的底部，所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔贯穿所述钝化层、且伸入所述半导体基板内部；阳极，包括伸入所述半导体基板内部的第一阳极部、第二阳极部和第三阳极部，所述第三阳极部接触孔贯穿所述介质层和所述钝化层、且伸入所述半导体基板内部，所述第三阳极部接触孔位于所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔之间；以及第一阴极和第二阴极。本实用新型实施例的肖特基势垒二极管，可以优化器件结构，与CMOS工艺线兼容，减小反向漏电。