一种半导体设备
基本信息
| 申请号 | CN201921573735.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211199388U | 公开（公告）日 | 2020-08-07 |
| 申请公布号 | CN211199388U | 申请公布日 | 2020-08-07 |
| 分类号 | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/50;C23C14/54;C23C14/06 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 | 申请（专利权）人 | 苏州辰华半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市坪山区坪山街道六和社区招商花园城17栋S1704 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材相对的位置上；其中，所述磁体包括多个磁性单元，所述磁体是形成一弧形的磁场。本实用新型提出的半导体能够提高镀膜的均匀性。 |
