一种半导体设备
基本信息
| 申请号 | CN201921572818.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211199387U | 公开（公告）日 | 2020-08-07 |
| 申请公布号 | CN211199387U | 申请公布日 | 2020-08-07 |
| 分类号 | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/50;C23C14/54;C23C14/06 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 | 申请（专利权）人 | 苏州辰华半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市坪山区坪山街道六和社区招商花园城17栋S1704 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提出一种半导体设备，该半导体设备包括：过渡腔体，设置在生长腔体之前；至少一载台，设置在所述过渡腔体内，所述至少一载台允许放置至少一个托盘，所述托盘允许放置基板，所述至少一载台允许上升和/或下降；冷却板，设置在所述过渡腔体内，所述冷却板与所述至少一载台相对设置；抽气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述抽气口对所述过渡腔体进行抽真空处理；排气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述排气口对所述过渡腔体进行破真空处理。本实用新型的半导体设备设计合理，结构简单。 |
