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半导体器件

基本信息

申请号 CN201821571500.0 申请日 -
公开（公告）号 CN209282207U 公开（公告）日 2019-08-20
申请公布号 CN209282207U 申请公布日 2019-08-20
分类号 H01L29/778（2006.01）I; H01L21/335（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L29/41（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 林信南; 刘美华; 刘岩军 申请（专利权）人 苏州辰华半导体技术有限公司
代理机构 深圳精智联合知识产权代理有限公司 代理人 深圳市晶相技术有限公司
地址 518052 广东省深圳市前海深港合作区前海一路1号A栋201室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：半导体基板；介质层，设置在所述半导体基板上；源极和漏极，设置在所述介质层上；以及第一栅极和第二栅极，相互间隔设置在所述介质层上；其中，所述第一栅极和所述第二栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述源极、所述漏极、所述第一栅极和所述第二栅极分别贯穿所述介质层、且伸入所述半导体基板。本实用新型的半导体器件可以提高栅极控制能力，减少栅极漏电和关态漏电，能够实现高质量的肖特基接触和低的漏极泄漏电流。