一种半导体设备

基本信息

申请号 CN201921578609.1 申请日 -
公开(公告)号 CN211689197U 公开(公告)日 2020-10-16
申请公布号 CN211689197U 申请公布日 2020-10-16
分类号 C23C14/02(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 申请(专利权)人 苏州辰华半导体技术有限公司
代理机构 上海光华专利事务所(普通合伙) 代理人 深圳市晶相技术有限公司
地址 518000广东省深圳市坪山区坪山街道六和社区招商花园城17栋S1704
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提出一种半导体设备,该半导体设备包括:生长腔体;清洗腔体,连接于所述生长腔体之前;其中,当基板设置在所述清洗腔体内时,所述清洗腔体内形成等离子体,所述等离子体用于对所述基板进行清洗。本实用新型提出的半导体设备设计合理,能够提高镀膜的均匀性。