氮化镓半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201710488977.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107437560B | 公开（公告）日 | 2017-12-05 |
| 申请公布号 | CN107437560B | 申请公布日 | 2017-12-05 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘美华;林信南;刘岩军 | 申请（专利权）人 | 苏州辰华半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 地址 | 518052广东省深圳市前海深港合作区前海一路1号A栋201室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的复合介质层；设置于所述复合介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述复合介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述复合介质层上的绝缘层，所述绝缘层的材质为二氧化硅。本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。 |
