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氮化镓半导体器件及其制备方法

基本信息

申请号 CN201710488431.0 申请日 -
公开（公告）号 CN107293578B 公开（公告）日 2020-08-07
申请公布号 CN107293578B 申请公布日 2020-08-07
分类号 H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/47;H01L21/335;H01L29/778 分类 基本电气元件;
发明人 刘美华;林信南;刘岩军 申请（专利权）人 苏州辰华半导体技术有限公司
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 深圳市晶相技术有限公司
地址 518052 广东省深圳市前海深港合作区前海一路1号A栋201室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的氮化硅和等离子体增强正硅酸乙脂复合介质层；设置于所述复合介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述复合介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述复合介质层上的绝缘层，以及设置于所述绝缘层上的场板金属层。本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。