过压检测电路、过流检测电路以及保护检测电路
基本信息
| 申请号 | CN202021382796.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212622792U | 公开（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申请公布号 | CN212622792U | 申请公布日 | 2021-02-26 |
| 分类号 | G01R19/165(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 王钊 | 申请（专利权）人 | 无锡中感微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 214135江苏省无锡市新区清源路18号太湖国际科技园传感网大学科技园530大厦A1001 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种过压检测电路、过流检测电路以及保护检测电路，其中，过压检测电路包括：带隙基准电压产生电路，其用于产生带隙基准电压BG，其包括运算放大器OP、第一双极型晶体管Q1和第二双极型晶体管Q2；分压电路，其用于基于受检输入电压产生第一检测电压；比较器Comp1，其第一输入端接收所述带隙基准电压BG，其第二输入端接收所述第一检测电压；其中，所述第一双极型晶体管和第二双极型晶体管为PNP双极型晶体管。与现有技术相比，本实用新型中，用于实现电压检测和/或电流检测的双极型晶体管可以采用普通的CMOS工艺中寄生的PNP型双极型晶体管，从而减少光刻步骤，进而降低芯片的生产成本。 |
