一种大尺寸提拉法单晶生长设计和控制方法
基本信息
| 申请号 | CN201610779365.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106283178A | 公开（公告）日 | 2017-01-04 |
| 申请公布号 | CN106283178A | 申请公布日 | 2017-01-04 |
| 分类号 | C30B15/20(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 张庆礼;刘文鹏;王小飞;孙贵花;孙敦陆;谷长江;高进云;张德明;殷绍唐 | 申请（专利权）人 | 安徽中科未来技术有限公司 |
| 代理机构 | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张巧 |
| 地址 | 230031 安徽省合肥市蜀山湖路350号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明给出了一种提拉法单晶生长的形状、工艺参数和控制参数的设计及其控制方法，分段设计整根晶体的直径、工艺参数和控制参数，数个晶体段构成一个完整的晶体。保持相邻晶体段间在过渡处的拉速、转速、直径和PID参数相等，并分别设定，从而在整个晶体生长过程中的拉速、转速、直径和PID参数均按给出的函数关系计算，为晶体生长的实时控制提供参数并计算反馈量，达到稳定控制晶体生长的目的。 |
