图形化衬底的GaN基LED外延片及该外延片的制备方法
基本信息
申请号 | CN200810217488.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN101740677A | 公开(公告)日 | 2010-06-16 |
申请公布号 | CN101740677A | 申请公布日 | 2010-06-16 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 胡加辉;朱国雄;吴煊梁;廖家明;沈志强 | 申请(专利权)人 | 深圳世纪晶源华芯有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供了一种图形衬底的GaN基LED外延片及制备该外延片的方法,其是在外延片衬底上包括有分布DBR反射层,该DBR反射层是由两种折射率不同的透明材料周期交替生长的层状结构,该层状结构的DBR反射层在衬底上形成相间隔的至少两个图形结构;该图形结构之间形成窗口区,GaN外延层即可从窗口区进行外延生长,本发明的外延生长由于晶体生长方向垂直于原来的位错运动方向,且掩膜层阻断了大部分扩展位错的运动,因此能大大降低外延层中扩展位错的密度,提高GaN外延薄膜的晶体质量;同时,本发明的图形化衬底上的DBR反射层结构是两种折射率不同的材料周期交替生长的层状结构,将有源区向下发射的光反射到出光的上表面,大大的提高了LED的出光效率。 |
