图形化衬底的GaN基LED外延片及该外延片的制备方法

基本信息

申请号 CN200810217488.8 申请日 -
公开(公告)号 CN101740677A 公开(公告)日 2010-06-16
申请公布号 CN101740677A 申请公布日 2010-06-16
分类号 H01L33/00(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 胡加辉;朱国雄;吴煊梁;廖家明;沈志强 申请(专利权)人 深圳世纪晶源华芯有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种图形衬底的GaN基LED外延片及制备该外延片的方法,其是在外延片衬底上包括有分布DBR反射层,该DBR反射层是由两种折射率不同的透明材料周期交替生长的层状结构,该层状结构的DBR反射层在衬底上形成相间隔的至少两个图形结构;该图形结构之间形成窗口区,GaN外延层即可从窗口区进行外延生长,本发明的外延生长由于晶体生长方向垂直于原来的位错运动方向,且掩膜层阻断了大部分扩展位错的运动,因此能大大降低外延层中扩展位错的密度,提高GaN外延薄膜的晶体质量;同时,本发明的图形化衬底上的DBR反射层结构是两种折射率不同的材料周期交替生长的层状结构,将有源区向下发射的光反射到出光的上表面,大大的提高了LED的出光效率。