一种大功率正装LED芯片结构
基本信息
| 申请号 | CN200810241675.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101929610A | 公开（公告）日 | 2010-12-29 |
| 申请公布号 | CN101929610A | 申请公布日 | 2010-12-29 |
| 分类号 | F21S2/00(2006.01)I;F21V7/22(2006.01)I;F21V29/00(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N | 分类 | 照明; |
| 发明人 | 吴大可;朱国雄;张坤 | 申请（专利权）人 | 深圳世纪晶源华芯有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种大功率正装LED芯片结构，包括透明钝化层、P压焊点、透明电极层、N电极、LED外延层、蓝宝石衬底、反射及焊料层，其中：所述的反射及焊料层表面上通过光学镀膜的方式形成有DBR光学反射层，所述的反射及焊料层底部设置有一高导热基座层；本发明所述的大功率正装LED芯片通过采用导热基座和DBR光学反射膜的结合，解决了大功率LED芯片在高电流密度小所遇到的散热及提高出光效率的问题。 |
