一种发光二极管的芯片结构
基本信息
| 申请号 | CN200810218305.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101752479A | 公开（公告）日 | 2010-06-23 |
| 申请公布号 | CN101752479A | 申请公布日 | 2010-06-23 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴大可;朱国雄;张坤 | 申请（专利权）人 | 深圳世纪晶源华芯有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及发光二极管的芯片结构，该芯片包括衬底、外延层、电流扩展层、N电极、P压焊点和钝化层，所述的钝化层叠置于电流扩展层之上，所述的电流扩展层上至少设置有一个孔，钝化层通过该孔与外延层接触到一起；本发明通过在电流扩展层上设置至少一个孔，暴露出处延片表面使之与覆盖其上的钝化层形成更可靠的接触，从而保护电流扩展层与处延层之间的良好接触，该发光二极管的制作工艺方便，可显著改善芯片电流扩展和提高发光二极管的封装合格率和可靠性。 |
