一种基于纳米二氧化硅的电路板用蚀刻液
基本信息
| 申请号 | CN201510952041.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105369250B | 公开（公告）日 | 2017-12-08 |
| 申请公布号 | CN105369250B | 申请公布日 | 2017-12-08 |
| 分类号 | C23F1/26(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 刘进军 | 申请（专利权）人 | 无锡吉进环保科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州天河万研知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 重庆硕奥科技有限公司;深圳市新日东升电子材料有限公司 |
| 地址 | 400056 重庆市巴南区南泉街道红星村12社 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公布了一种基于纳米二氧化硅的电路板用蚀刻液，包括以下重量百分比的组合物：纳米二氧化硅1.5％～2.5％；磷酸铵1.2％～1.6％；草酸0.5％～1.6％；有机盐酸0.5％～1.2％；非离子表面活性剂0.3％～1.5％；稳定剂0.5％～1.2％；消泡剂0.5％～1.6％；其余为蒸馏水。本发明通过在原有工艺的基础上新加入了纳米二氧化硅，不仅能够在不发生抗蚀涂层渗透的情况下进行蚀刻，显著提高铬金属膜的蚀刻速度，具有蚀刻速度可控性，有效抑制抗蚀保护层的劣化，得到表面平坦光滑的铬金属膜配线，具有重要的应用价值。 |
