一种改善直拉法生长单晶硅质量的方法以及加热器
基本信息
| 申请号 | CN201510210421.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104818524A | 公开（公告）日 | 2015-08-05 |
| 申请公布号 | CN104818524A | 申请公布日 | 2015-08-05 |
| 分类号 | C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 汤灏 | 申请（专利权）人 | 西安隆基新能源有限公司 |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 汤灏;乐叶光伏能源有限公司 |
| 地址 | 310013 浙江省杭州市西湖区求是村72幢402室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种改善直拉法生长单晶硅质量的方法，包括步骤：将原料硅投入晶体炉的坩埚内；加热器加热坩埚融化埚内的原料硅并保持熔体在熔融状态；将棒状籽晶浸入熔液中；通入惰性气体至熔体液面，控制炉内压力；一边旋转坩埚，一边提升相对坩埚反向旋转的棒状籽晶，得到圆柱形的单晶硅晶体，在拉晶过程中，控制沿着坩埚深度方向的加热量，使熔体自生长界面至坩埚底部的温度梯度减小；本发明还提供了一种实现本发明方法的加热器；本发明有效减小热对流，降低单晶硅中的微缺陷和有害杂质，制备得到低缺陷、超低氧、高少子寿命的单晶硅，成本较低且易于实现。 |
