太阳能电池用掺镓铟单晶硅材料及其制备方法
基本信息
申请号 | CN201010114326.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN101805925B | 公开(公告)日 | 2012-08-15 |
申请公布号 | CN101805925B | 申请公布日 | 2012-08-15 |
分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B15/04(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
发明人 | 张群社 | 申请(专利权)人 | 西安隆基新能源有限公司 |
代理机构 | 西安弘理专利事务所 | 代理人 | 西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司;隆基绿能科技股份有限公司 |
地址 | 710100 陕西省西安市长安区航天中路388号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种太阳能电池用掺镓铟单晶硅材料,按照每立方厘米单晶硅材料中的原子个数,由以下组分组成:镓:1.0×1014-1.0×1018atoms/cm3,铟:5.0×1012-5.0×1016atoms/cm3,其余为单晶硅。本发明太阳能电池用掺镓铟单晶硅材料的制备方法,具体按照以下步骤实施:按照常规方法进行拆炉,清理干净炉膛;装炉;按照常规方法对单晶炉内进行抽真空和检漏;压力化与熔料;稳定化;引晶;放肩;转肩;等径生长;收尾与冷却;停炉。本发明太阳能电池用掺镓铟单晶硅材料,转换效率高,且光衰率很低,单晶硅中氧含量低、且在单晶硅棒的径向分布均匀,本发明制备方法有效控制硅熔体的热对流,生长了高质量太阳能电池用掺镓铟单晶硅材料。 |
