一种用于制备一氧化硅的高收集率的真空蒸镀炉
基本信息
| 申请号 | CN202122126719.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215757573U | 公开（公告）日 | 2022-02-08 |
| 申请公布号 | CN215757573U | 申请公布日 | 2022-02-08 |
| 分类号 | C23C14/08（2006.01）I;C23C14/56（2006.01）I;C23C14/26（2006.01）I;C23C14/30（2006.01）I;C23C14/24（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 贺翔;李阁;许迪新;程晓彦;岳风树 | 申请（专利权）人 | 北京壹金新能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京中知星原知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 艾变开 |
| 地址 | 100190北京市海淀区中关村东路66号2号楼5层0604 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种用于制备一氧化硅的高收集率的真空蒸镀炉，包括真空蒸镀室、蒸发源、收集器、真空装置和冷却装置，所述蒸发源和收集器设在真空蒸镀室的内部，且收集器的进气端密闭连接蒸发源的开口端，真空装置通过抽真空管连接真空蒸镀室；所述冷却装置包括第一冷却器和第二冷却器，所述第一冷却器包括套设在真空蒸镀室外侧的冷却套；所述第二冷却器包括彼此连接的水冷柱和冷却水箱，所述水冷柱设在收集器内部，且贯穿收集器的轴向方向。 |
