一种钕铁硼磁体的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201711223146.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108010705B | 公开（公告）日 | 2020-08-04 |
| 申请公布号 | CN108010705B | 申请公布日 | 2020-08-04 |
| 分类号 | H01F41/02;H01F1/057 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吕竹风;黄家炽 | 申请（专利权）人 | 宁德市星宇科技有限公司 |
| 代理机构 | 福州市博深专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 林志峥 |
| 地址 | 352100 福建省宁德市东侨经济开发区林聪路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种钕铁硼磁体的制备方法，包括将厚度为8～12mm的基础钕铁硼磁体经稀无机酸溶液处理后进行干燥；将扩散合金片附着在干燥后的基础钕铁硼磁体的上下表面，然后放在热压炉中，对热压炉抽真空，在真空状态下进行升温至700～800℃时，开始施加压力20～30MPa，并保压7～10h，然后泄压至常压、重新抽真空，继续升温至850～950℃，保温1～2h；将扩散后的试样在真空炉中先后于不同的温度进行退火处理；其中所述扩散合金片为R1‑R2‑TM，其中R1为Pr或Nd，R2为Dy或Tb，TM为Cu、Al、Zn或Fe中的任意一种。本发明能生产出磁体矫顽力、剩磁且样品厚度均令人满意的钕铁硼磁体。 |
