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一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法

基本信息

申请号 CN202010631985.3 申请日 -
公开（公告）号 CN111710519A 公开（公告）日 2020-09-25
申请公布号 CN111710519A 申请公布日 2020-09-25
分类号 H01F41/02(2006.01)I;H01F1/057(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 吕竹风;黄家炽 申请（专利权）人 宁德市星宇科技有限公司
代理机构 福州市博深专利事务所（普通合伙） 代理人 宁德市星宇科技有限公司
地址 352100福建省宁德市东侨开发区团圆路8号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法，包括将厚度为8～12mm的基础钕铁硼磁体经稀无机酸溶液处理后进行干燥；将扩散合金片Pr50Tb20Cu30附着在干燥后的基础钕铁硼磁体的上下表面，然后放在热压炉中，对热压炉抽真空，在真空状态下进行升温至700～800℃时，开始施加压力20～30MPa，并保压7～10h，然后泄压至常压、重新抽真空，继续升温至850～950℃，保温1～2h；将扩散后的试样在真空炉中先后于不同的温度进行退火处理。本发明能生产出磁体矫顽力、剩磁且样品厚度均令人满意的钕铁硼磁体。