一种具有碳化硅/硅复合陶瓷层的坩埚
基本信息
| 申请号 | CN202110322512.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113073381A | 公开（公告）日 | 2021-07-06 |
| 申请公布号 | CN113073381A | 申请公布日 | 2021-07-06 |
| 分类号 | C30B15/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 鲍思权;陈振宇;周娩红;朱苏华 | 申请（专利权）人 | 湖南世鑫新材料有限公司 |
| 代理机构 | 长沙市融智专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 蒋太炜 |
| 地址 | 412007湖南省株洲市天元区仙月环路899号新马动力创新园2-1期D栋研发厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域，具体涉及一种具有碳化硅/硅复合陶瓷层的坩埚。所述坩埚包括炭/炭复合材料构成的坩埚以及附着于炭/炭复合材料坩埚内外表面的碳化硅/硅复合陶瓷层，或所述坩埚包括炭/炭复合材料构成的坩埚以及附着于炭/炭复合材料坩埚内表面的碳化硅/硅复合陶瓷层，所述碳化硅/硅复合陶瓷层是由碳化硅和硅彼此镶嵌混合而组成。本发明通过制备工艺与坩埚结构的优化匹配；得到了性能优良、使用寿命长久的产品。本发明制备工艺可控，便于大规模工业化应用。 |
