具有高叠片系数的非晶纳米晶合金带材、制造方法及应用
基本信息
| 申请号 | CN202011288516.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114512289A | 公开（公告）日 | 2022-05-17 |
| 申请公布号 | CN114512289A | 申请公布日 | 2022-05-17 |
| 分类号 | H01F1/153（2006.01）I;H01F3/04（2006.01）I;H01F41/02（2006.01）I;B22D11/06（2006.01）I;C22C45/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈文智;刘国栋;李百松;史杨;李志刚 | 申请（专利权）人 | 安泰非晶科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京知联天下知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 100081北京市海淀区学院南路76号62幢二层212房间 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种具有高叠片系数的非晶纳米晶合金带材、制造方法及应用，具有高叠片系数的非晶纳米晶合金带材，在所述带材的宽度方向，所述带材的中间部位厚度H0大于带材两侧边缘厚度HL和HR，且其差值不大于2.5微米。本发明通过改进非晶纳米晶合金带材的板型，控制带材的中部厚度及两侧边缘厚度，同时改进带材的贴辊面和自由面粗糙度，实现本发明的非晶纳米晶合金带材的叠片系数超过90％。 |
