增强型铜基带材的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911040361.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110923661B | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN110923661B | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | C23C16/26;C23C16/56;C23C16/02;C22F1/08;C21D9/52;B21B37/56 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 侯星云 | 申请（专利权）人 | 北京碳垣新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 董李欣 |
| 地址 | 100071 北京市丰台区科兴路9号院二层211-2室（园区) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种增强型铜基带材的制备方法，包括：对铜或铜合金带材进行增强预处理；采用常压化学气相沉积方法，使用气态或液态碳源在铜或铜合金带材上生长石墨烯；将铜或铜合金带材在室温下进行多道次冷轧；将冷轧完毕后的铜或铜和铜合金带材重复预处理、石墨烯表面生长和冷轧步骤多次，形成预制品；对增强型铜基带材预制品进行快速结晶连续退火，制成增强型铜基带材。本发明提出在铜带材堆叠后进行表面的连续石墨烯原位生长，然后对堆叠铜带材进行大变形轧制，重复上述过程，然后通过控制再结晶，实现高强和高导的良好匹配。 |
