高红外吸收率的复合膜层结构及热电堆芯片
基本信息
| 申请号 | CN202121747428.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216081789U | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN216081789U | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | G01J5/14（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 古瑞琴;杨志博;任红军;郭海周;高胜国 | 申请（专利权）人 | 郑州炜盛电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 郑州德勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 武亚楠 |
| 地址 | 450001河南省郑州市高新技术开发区金梭路299号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种高红外吸收率的复合膜层结构及热电堆芯片，所述高红外吸收率的复合膜层结构包括氮化硅薄膜层，以及位于所述氮化硅薄膜层上表面的二氧化硅薄膜层；所述热电堆芯片包括硅衬底、热氧化层、隔绝层、第一热电偶层、第一绝缘层、第二热电偶层、第二绝缘层、电极焊盘层和所述高红外吸收率的复合膜层结构。本实用新型能够大大提高红外吸收率，并有效降低热导率，在人体辐射波段具有较高的吸收率。 |
