硒化铅光敏薄膜及可集成光电导传感器的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111568256.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114284152A | 公开（公告）日 | 2022-04-05 |
| 申请公布号 | CN114284152A | 申请公布日 | 2022-04-05 |
| 分类号 | H01L21/368（2006.01）I;H01L21/38（2006.01）I;H01L31/032（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 古瑞琴;高胜国;汪静;郭海周;杨志博 | 申请（专利权）人 | 郑州炜盛电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 郑州德勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王莉 |
| 地址 | 450001河南省郑州市高新技术开发区金梭路299号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种硒化铅光敏薄膜的制备方法，包括步骤：以可溶性铅盐、强碱、硒源和可溶性卤盐为原料，采用化学浴法在衬底上沉积形成卤素掺杂的硒化铅薄膜，制得铅盐薄膜基片；采用氧化剂溶液对所述卤素掺杂的硒化铅薄膜进行化学氧化，制得氧化薄膜基片，其中，所述氧化剂溶液为H2O2溶液或K2S2O8溶液；采用卤素混合气体对所述氧化薄膜基片进行敏化处理使得所述衬底上形成硒化铅光敏薄膜；其中，所述卤素混合气体为卤气与N2或O2的混合气体。由上述方法制备的硒化铅光敏薄膜能够提高其光电灵敏度、响应速度快和分辨率高，有效延长使用寿命。另外，本发明还提供一种利用上述硒化铅光敏薄膜制备可集成光电导传感器的方法。 |
