IGBT焊接层空洞检测装置
基本信息
| 申请号 | CN202121649423.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215813284U | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN215813284U | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | G01R31/70（2020.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 张怡廷 | 申请（专利权）人 | 上汽英飞凌汽车功率半导体（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 焦天雷 |
| 地址 | 201206上海市浦东新区金吉路33弄2号三层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种IGBT焊接层空洞检测装置，包括：电压电源，其正极连接IGBT栅极，其负极连接IGBT发射极；电流电源，其正极连接IGBT集电极，其负极连接IGBT发射极，其能测量电压。本实用新型的检测装置通过对IGBT进行加热能使用电学测试的方法快速、准确检测出存在焊接层空洞的IGBT产品。 |
