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直拉式晶体生长炉自动控制方法

基本信息

申请号 CN200610050123.1 申请日 -
公开（公告）号 CN100383295C 公开（公告）日 2008-04-23
申请公布号 CN100383295C 申请公布日 2008-04-23
分类号 C30B15/20(2006.01) 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 曹建伟;张俊;顾临怡;邱敏秀 申请（专利权）人 浙江大晶创业投资有限公司
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 浙江大学;浙江大学创业投资有限公司
地址 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种直拉式晶体生长炉自动控制方法。将硅晶体原材料放到坩埚内；利用氩气保护控制模块控制；并利用坩埚加热与冷却控制模块控制坩埚加热控制部件的功率和冷却水的流量，综合控制坩埚内的普通硅原材料加热熔化和外壳的冷却进行熔晶；启动坩埚与籽晶旋转控制模块进行引晶放肩，使单晶硅在籽晶周围形成一个圆锥；启动单晶直径控制模块进行等径控制；晶体生长完成后收尾；冷却后取出单晶硅产品。采用带预测补偿功能的晶体生长控制策略，对坩埚内溶液温度、坩埚与籽晶提升速度、旋转速度等参数进行协调控制，在仅采用红外探测型单晶直径传感器的条件下，仍能达到与进口炉相当的晶体产品完整性与均匀性，达到电路级要求。