一种低温等离子体制备硅碳复合负极材料的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910811959.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110504435B | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN110504435B | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M10/0525 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许晓落;安静;刘尚;吴浩;吴琪 | 申请（专利权）人 | 石家庄尚太科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 秦琼 |
| 地址 | 052460 河北省石家庄市无极县里城道乡南沙公路西侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种低温等离子体制备硅碳复合负极材料的方法，包括以下步骤，制备纳米硅复合体：将纳米硅、硅烷偶联剂、添加剂和催化剂加入有机溶剂中，混合搅拌均匀，经过低温等离子技术处理，超声分散，化学气相沉积及其表面改性得到硅碳复合负极材料。本发明的有益效果为：本发明通过将硅烷偶联剂、催化剂经低温等离子体技术处理产生带电粒子和活性成分作用于纳米硅，而后经过碳化、还原得到纳米硅/一氧化硅复合材料，其复合材料具有比容量高、结构稳定性强，一致性高等特性从而改善材料的循环性能。 |
