一种硅基底3-6μm红外窗口片

基本信息

申请号 CN202010483854.5 申请日 -
公开(公告)号 CN111812753A 公开(公告)日 2020-10-23
申请公布号 CN111812753A 申请公布日 2020-10-23
分类号 G02B1/113;C23C14/08;C23C14/30;G01J5/02 分类 光学;
发明人 潘安练 申请(专利权)人 湖南麓星光电科技有限公司
代理机构 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 代理人 钟丹;魏娟
地址 410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种硅基底3‑6μm红外窗口片,所述红外窗口片以单晶硅为基底,所述基底两侧均镀有单层的增透膜,所述增透膜选自一氧化硅膜或氧化钇膜,本发明以单晶硅作为基底,选择一氧化硅或者氧化钇作为增透膜材料,意外的发现在特定的厚度下(一氧化硅增透膜的厚度为0.537‑0.696μm,氧化钇增透膜的厚度为0.502‑0.689μm),只需两侧均采用单层的增透膜结构,即可使红外窗口片在3‑6μm的红外波段平均透过率≥90%,极值透过率≥98%;而在优选的方案中,所述红外窗口片在3‑6μm的红外波段平均透过率≥90%,极值透过率≥99.6%。本发明采用单层增透膜却达到了现有技术中需要设置多层增透膜才能达到的红外窗口的使用效果。