一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110701740.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113430649A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113430649A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | C30B29/40;C30B33/02;C30B25/18 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 张保国;邵永亮;胡海啸;郝霄鹏;吴拥中;吕洪 | 申请（专利权）人 | 山东加睿晶欣新材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京恒创益佳知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 付金豹 |
| 地址 | 250353 山东省济南市长清区大学路3501号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法，包括如下步骤：生长用GaN衬底在多温区多气氛的管式生长炉中的装配；GaN衬底在高温下氧化性气氛中氧化制备表面具有氧化镓层的衬底；具有氧化镓层的GaN衬底在腐蚀气体气氛中干刻蚀制备多孔GaN衬底；多孔GaN衬底上生长GaN单晶；生长工艺结束后控制氨气通入量实现界面出GaN分解；降温后烘箱静置得到自剥离GaN单晶。 |
