一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法

基本信息

申请号	CN201410000379.6	申请日	-
公开（公告）号	CN103728469B	公开（公告）日	2015-09-30
申请公布号	CN103728469B	申请公布日	2015-09-30
分类号	G01Q30/20(2010.01)I	分类	测量；测试;
发明人	郝霄鹏;田媛;张雷;吴拥中;邵永亮;戴元滨;张浩东	申请（专利权）人	山东加睿晶欣新材料股份有限公司
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司	代理人	山东大学
地址	250100 山东省济南市历城区山大南路27号
法律状态	-

摘要

一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法，包括以下步骤：（1）将带有GaN外延层的衬底放入加热炉中，将加热炉密封；（2）将加热炉内气压抽至3×10²-1×10⁴Pa，向加热炉内通入N₂至加热炉内气压升到室内实际气压值；（3）重复步骤（2）；（4）将加热炉的温度升到1000-1200℃后保温3分钟-20分钟，进行退火；（5）将加热炉温度降回到室温；（6）从加热炉中取出样品，并进行观察。该方法通过高温退火，在样品表面形成清晰的退火形貌，有效地显示GaN外延层中的位错，并可对位错的分布进行研究，不仅能够评估位错的密度，还能区分位错的种类，分析其表面退火坑的密度与晶体质量之间的关系，具有过程简单、操作方便快捷、实用性强的特点。