一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法

基本信息

申请号	CN201710601044.3	申请日	-
公开（公告）号	CN107326444B	公开（公告）日	2019-10-18
申请公布号	CN107326444B	申请公布日	2019-10-18
分类号	C30B33/10;C30B29/40;C30B7/10	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	郝霄鹏;张保国;邵永亮;吴拥中;霍勤;胡海啸	申请（专利权）人	山东加睿晶欣新材料股份有限公司
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司	代理人	山东大学
地址	250199 山东省济南市历城区山大南路27号
法律状态	-

摘要

一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法，包括以下步骤：(1)配制水热腐蚀溶液，装入水热釜，将GaN晶体Ga面朝上放入水热釜，封釜；(2)将水热釜加热反应，反应完毕后静置降温；(3)待水热釜降至室温，开釜取出GaN晶体，将GaN晶体进行清洗，并吹干，得到经水热反应腐蚀的GaN晶体(4)对上述GaN晶体进行位错密度和分布表征。本发明通过水热腐蚀的方法，在样品表面形成清晰的腐蚀形貌，借助空位辅助分离原理，制备的多孔衬底在后期生长GaN体单晶过程中，有助于缓解晶体中的应力和实现晶体的自剥离。与现有技术相比，该方法具有过程简单、操作方便、成本低、实用性强的特点，具有反应条件缓和、操作简便、孔径均一等优势。